Электронный каталог
Русский
Английский
Вход
Корзина
Поиск по заголовку
История поиска
Очистить сессию
Мобильная версия
Расширенный поиск
x
#{text}
Текущий Поиск:
Voytsekhovskiy, Alexander V.
2010 - 2019
>>
2015
Сортировать по
Релевантность
Новые добавленные записи
Автор
Заглавие
Дата публикации по возрастанию
Дата публикации по убыванию
Расст.шифр
Дата создания
Результаты 1 к 20 из 25
Добавить страницу в корзину
Добавить все в корзину
1.
Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe /D. I. Gorn, A. V. Voitsekhovskii, S. M. Dzyadukh, S. N. Nesmelov
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500359
Источник
International Journal of Nanotechnology 2015 Vol. 12, № 3/4. P. 164-173
Добавить в корзину
2.
Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions /K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V. G. Satdarov
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500360
Источник
International Journal of Nanotechnology 2015 Vol. 12, № 3/4. P. 209-217
Добавить в корзину
3.
Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy /V. G. Satdarov, A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500363
Источник
International Journal of Nanotechnology 2015 Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Добавить в корзину
4.
Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots /K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii
Lozovoy, Kirill A.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000508682
Источник
Crystal growth and design 2015 Vol. 15, № 3. P. 1055-1059
Добавить в корзину
5.
Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air /D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000518193
Источник
12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts Tomsk, 2015 P. 209
Добавить в корзину
6.
UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors /A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000518932
Источник
Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstracts Tomsk, 2015 P. 121
Добавить в корзину
7.
Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K /A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519407
Источник
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 М. [и др.], 2015 Т. 2. С. 739-740
Добавить в корзину
8.
Measurement of the charge carrier mobility in MEH-PPV and MEH-PPV-POSS organic semiconductor films /I. V. Romanov, A. V. Voytsekhovskii, K. M. Dyagterenko [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520134
Источник
Russian physics journal 2015 Vol. 57, № 11. P. 1584-1592
Добавить в корзину
9.
Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges /A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii
Kokhanenko, Andrey P.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520314
Источник
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 М. [и др.], 2015 Т. 2. С. 709-710
Добавить в корзину
10.
Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe /A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525996
Источник
СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 М. [и др.], 2015 Т. 2. С. 735-736
Добавить в корзину
11.
Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well /I. I. Izhnin, E. I. Fitsych, S. N. Nesmelov [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000529825
Источник
The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015 Lviv, 2015 P. 364
Добавить в корзину
12.
Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer /K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskii
Lozovoy, Kirill A.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000534427
Источник
Physical chemistry chemical physics 2015 Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Добавить в корзину
13.
Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates /A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375
Источник
Infrared physics and technology 2015 Vol. 71. P. 236-241
Добавить в корзину
14.
Background donor concentration in HgCdTe /I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535381
Источник
Opto-electronics review 2015 Vol. 23, № 3. P. 200-207
Добавить в корзину
15.
Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe /A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000537300
Источник
12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts Tomsk, 2015 P. 211
Добавить в корзину
16.
Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4 /A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539841
Источник
Russian physics journal 2015 Vol. 58, № 4. P. 540-551
Добавить в корзину
17.
Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe /A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539842
Источник
Journal of Physics: Conference Series 2015 Vol. 652. P. 012003 (1-4)
Добавить в корзину
18.
Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air /D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539847
Источник
Journal of Physics: Conference Series 2015 Vol. 652. P. 012025 (1-5)
Добавить в корзину
19.
Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching /I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568
Источник
Infrared physics and technology 2015 Vol. 73. P. 158-165
Добавить в корзину
20.
Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy /A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
Электронный ресурс
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000548081
Источник
Russian physics journal 2015 Vol. 58, № 7. P. 970-977
Добавить в корзину
Добавить страницу в корзину
Добавить все в корзину
1
|
2
|
Далее>
Результатов на странице
10
20
30
40
50
Личный кабинет
Авторизация (доступ к Личному кабинету)
Номер читательского билета
Пароль
Искать в найденном
Дополнительные термины
Вид изданий
Статьи из сериальных изданий
(
15
)
Статьи из сборников
(
10
)
Автор (автор, составитель, редактор, науч.руководитель и др.)
Nesmelov, Sergey N.
(
12
)
Dzyadukh, Stanislav M.
(
11
)
Lozovoy, Kirill A.
(
9
)
Grigoryev, Denis V.
(
8
)
Shulepov, Mikhail A.
(
7
)
Tarasenko, Viktor Fedotovich
(
7
)
Kokhanenko, Andrey P.
(
6
)
Dvoretsky, Sergei A.
(
5
)
Fitsych, Olena I.
(
4
)
Gorn, Dmitriy Igorevich
(
4
)
Izhnin, Igor I.
(
4
)
Mikhailov, Nikolay N.
(
3
)
Yakushev, Maxim V.
(
3
)
Bonchyk, A. Yu.
(
2
)
Korotaev, A. G.
(
2
)
Mynbaev, Karim D.
(
2
)
Satdarov, Vadim G.
(
2
)
Varavin, Vasilii S.
(
2
)
Bezrodnyy, Dmitriy A.
(
1
)
Dyagterenko, K. M.
(
1
)
Kopylova, Tatyana N.
(
1
)
Mohylyak, I. A.
(
1
)
Nikonova, Elena N.
(
1
)
Novikov, Vadim A.
(
1
)
Pociask-Bialy, Malgorzata
(
1
)
Romanov, I. V.
(
1
)
Savytskyy, G. V.
(
1
)
Savytskyy, Hrygory V.
(
1
)
Vasilev, Vladimir V.
(
1
)