Радиационные эффекты в HgCdTe /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др.

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg /И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др.

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN /И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др.

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии /С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов Дзядух, Станислав Михайлович

Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe /А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др.

Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения /А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов, В. Г. Средин, С. А. Шульга

Информационное и спектроскопическое обеспечение лазерного анализа высокотемпературных газовых смесей /А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, Д. Е. Каширский Войцеховский, Александр Васильевич

Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления /А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др.

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии /А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др.

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Детектирование в терагерцовом диапазоне /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др.

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe /И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. Ю. Бончик и др.

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te /С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух Несмелов, Сергей Николаевич

Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. А. Скрыльников Войцеховский, Александр Васильевич

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др.

Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации /А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, В. Г. Сатдаров

Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами /А. В. Войцеховский, Д. И. Горн Войцеховский, Александр Васильевич

Типы детекторов терагерцового излучения /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий и др.

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe /А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов Войцеховский, Александр Васильевич