Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 20 results.

    1.
    2.
    Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Копьев Виктор Васильевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Том. гос. ун-т

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2019Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Импульсная накачка полупроводникового лазера с драйвером на основе лавинного S-диода В. В. Копьев, И. А. Прудаев

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN В. В. Копьев, И. С. Романов, И. А. Прудаев

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Application of short-period superlattices in InGaN/GaN light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции И. А. Прудаев, И. С. Романов, В. В. Копьев и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Л. Олейник

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Драйвер на основе лавинного S-диода для питания полупроводникового лазера В. В. Копьев

    by Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. В. Пономарев, И. С. Романов, В. В. Копьев

    by Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки В. В. Копьев, И. А. Прудаев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. А. Прудаев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. В. Копьев

    by Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4 В. Л. Олейник, В. В. Копьев

    by Олейник, Владимир Леонидович | Копьев, Виктор Васильевич.

    Source: Системы связи и радионавигации : сборник тезисовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. В. Копьев [и др.]

    by Алмаев, Дмитрий Александрович | Алмаев, Алексей Викторович | Копьев, Виктор Васильевич | Николаев, Владимир Иванович | Печников, Алексей Игоревич | Степанов, Сергей Игоревич | Бойко, Михаил Евгеньевич | Бутенко, Павел Николаевич | Щеглов, Михаил Петрович.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич.

    Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3 И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев [и др.]

    by Щемеров, Иван Васильевич | Поляков, Александр Яковлевич | Алмаев, Алексей Викторович | Николаев, Владимир Иванович | Кобелева, Светлана Петровна | Васильев, Антон Андреевич | Кирилов, Виктор Дмитриевич | Кочкова, Анастасия Ильинична | Копьев, Виктор Васильевич | Куланчиков, Юрий Олегович.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Nature of the abnormally high photocurrent relaxation time in the α-Ga2O3-based Schottky diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    19.
    Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции В. В. Копьев, И. С. Романов

    by Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др.

    by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :