Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 5 results.

    1.
    2.
    Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии Ю. Ю. Эрвье

    by Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3 И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев [и др.]

    by Щемеров, Иван Васильевич | Поляков, Александр Яковлевич | Алмаев, Алексей Викторович | Николаев, Владимир Иванович | Кобелева, Светлана Петровна | Васильев, Антон Андреевич | Кирилов, Виктор Дмитриевич | Кочкова, Анастасия Ильинична | Копьев, Виктор Васильевич | Куланчиков, Юрий Олегович.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Nature of the abnormally high photocurrent relaxation time in the α-Ga2O3-based Schottky diodes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :