Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC /В. И. Алтухов, А. В. Санкин, В. Ф. Антонов [и др.]

Электронный ресурс
Другой Автор
Санкин, Александр Викторович
Антонов, Владимир Феохарович
Филипова, Светлана Валерьевна
Митюгова, Ольга Александровна
Алтухов, Виктор Иванович
Источник
Аннотация
Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных концентрациях поверхностных состояний ( с ≈ 4-8) величина барьера Шоттки Ф xB ( с ) имеет значение порядка потенциального барьера гетероперехода Ф xg , с чем связано известное подобие в поведении соответствующих ВАХ. Проанализирована роль факторов идеальности в поведении ВАХ. Полученные значения высот барьеров Шоттки согласуются с данными опытов.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
03027nab a2200385 c 4500
001
 
 
vtls000674827
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20200210135900.0
007
 
 
cr |
008
 
 
200205|2019    ru      s         c rus d
024
7
$a 10.17223/00213411/62/9/113 $2 doi
035
$a to000674827
039
9
$a 202002101359 $b cat34 $c 202002051330 $d VLOAD $y 202002051251 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
245
1
0
$a Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC $c В. И. Алтухов, А. В. Санкин, В. Ф. Антонов [и др.]
504
$a Библиогр.: 7 назв.
506
$a Ограниченный доступ
520
3
$a Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных концентрациях поверхностных состояний ( с ≈ 4-8) величина барьера Шоттки Ф xB ( с ) имеет значение порядка потенциального барьера гетероперехода Ф xg , с чем связано известное подобие в поведении соответствующих ВАХ. Проанализирована роль факторов идеальности в поведении ВАХ. Полученные значения высот барьеров Шоттки согласуются с данными опытов.
653
$a Шоттки барьер
653
$a твердые растворы
653
$a вольт-амперные характеристики
653
$a диоды
653
$a эмиссионные токи
655
4
$a статьи в журналах
700
1
$a Санкин, Александр Викторович
700
1
$a Антонов, Владимир Феохарович
700
1
$a Филипова, Светлана Валерьевна
700
1
$a Митюгова, Ольга Александровна
700
1
$a Алтухов, Виктор Иванович
773
0
$t Известия высших учебных заведений. Физика $d 2019 $g Т. 62, № 9. С. 113-116 $x 0021-3411 $w 0026-80960
852
4
$a RU-ToGU
856
4
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674827
908
$a статья
999
$a VIRTUA               
999
$a VTLSSORT0070*0080*0240*0350*0400*2450*5040*5060*5200*6530*6531*6532*6533*6534*6550*7004*7000*7001*7002*7003*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в журналах
Резюме
Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных концентрациях поверхностных состояний ( с ≈ 4-8) величина барьера Шоттки Ф xB ( с ) имеет значение порядка потенциального барьера гетероперехода Ф xg , с чем связано известное подобие в поведении соответствующих ВАХ. Проанализирована роль факторов идеальности в поведении ВАХ. Полученные значения высот барьеров Шоттки согласуются с данными опытов.