Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 /С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

Электронный ресурс
Другой Автор
Дзядух, Станислав Михайлович
Несмелов, Сергей Николаевич
Сидоров, Георгий Юрьевич
Варавин, Василий Семенович
Васильев, Владимир Васильевич физик
Дворецкий, Сергей Алексеевич
Михайлов, Николай Николаевич физик
Якушев, Максим Витальевич
Войцеховский, Александр Васильевич
Источник
Аннотация
Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n -HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n -HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al2O3 появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al2O3. Для МДП-структур на основе p -HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
03845nab a2200421 c 4500
001
 
 
vtls000626213
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20190526214200.0
007
 
 
cr |
008
 
 
190526|2017    ru      s         c rus d
035
$a to000626213
039
9
$a 201905262142 $b staff $c 201805111100 $d cat202 $c 201805041527 $d VLOAD $y 201805041432 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
245
1
0
$a Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 $c С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.
504
$a Библиогр.: 15 назв.
506
$a Доступ в сети ТГУ
520
3
$a Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n -HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n -HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al2O3 появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al2O3. Для МДП-структур на основе p -HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.
653
$a МДП-структуры
653
$a электрофизические исследования
653
$a адмиттанс
653
$a молекулярно-лучевая эпитаксия
653
$a двухслойные диэлектрики
655
4
$a статьи в журналах
700
1
$a Дзядух, Станислав Михайлович
700
1
$a Несмелов, Сергей Николаевич
700
1
$a Сидоров, Георгий Юрьевич
700
1
$a Варавин, Василий Семенович
700
1
$a Васильев, Владимир Васильевич $c физик
700
1
$a Дворецкий, Сергей Алексеевич
700
1
$a Михайлов, Николай Николаевич $c физик
700
1
$a Якушев, Максим Витальевич
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич
773
0
$t Известия высших учебных заведений. Физика $d 2017 $g Т. 60, № 11. С. 3-12 $x 0021-3411 $w 0026-80960
852
4
$a RU-ToGU
856
7
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626213
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0050*0070*0080*0350*0390*0400*2450*5040*5200*6530*6531*6532*6533*6534*6550*7000*7008*7001*7002*7003*7004*7005*7006*7007*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в журналах
Резюме
Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n -HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n -HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al2O3 появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al2O3. Для МДП-структур на основе p -HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.