Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Электронный ресурс
Другой Автор
Войцеховский, Александр Васильевич
Дзядух, Станислав Михайлович
Сидоров, Георгий Юрьевич
Варавин, Василий Семенович
Васильев, Владимир Васильевич физик
Дворецкий, Сергей Алексеевич
Михайлов, Николай Николаевич физик
Якушев, Максим Витальевич
Несмелов, Сергей Николаевич
Источник
Паралельное заглавие
Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe
Аннотация
Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
03195nab a2200445 c 4500
001
 
 
vtls000623566
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20190716075900.0
007
 
 
cr |
008
 
 
190526|2017    ru      s         c rus d
035
$a to000623566
039
9
$a 201907160759 $b cat202 $c 201905262141 $d staff $c 201803290836 $d cat202 $c 201803281531 $d VLOAD $y 201803281520 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
245
1
0
$a Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe $c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
246
1
1
$a Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe
504
$a Библиогр.: 4 назв.
506
$a Доступ в сети ТГУ
520
3
$a Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.
653
$a молекулярно-лучевая эпитаксия
653
$a МДП-структуры
653
$a теллурид кадмия ртути
653
$a электрофизические исследования
653
$a приповерхностные слои
653
$a полупроводниковые гетероструктуры
655
4
$a статьи в журналах
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич
700
1
$a Дзядух, Станислав Михайлович
700
1
$a Сидоров, Георгий Юрьевич
700
1
$a Варавин, Василий Семенович
700
1
$a Васильев, Владимир Васильевич $c физик
700
1
$a Дворецкий, Сергей Алексеевич
700
1
$a Михайлов, Николай Николаевич $c физик
700
1
$a Якушев, Максим Витальевич
700
1
$a Несмелов, Сергей Николаевич
773
0
$t Известия высших учебных заведений. Физика $d 2017 $g Т. 60, № 12/2. С. 202-205 $x 0021-3411 $w 0026-80960
852
4
$a RU-ToGU
856
7
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0050*0070*0080*0350*0390*0400*2450*2460*5040*5060*5200*6530*6531*6532*6533*6534*6535*6550*7000*7008*7001*7002*7003*7004*7005*7006*7007*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в журналах
Резюме
Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.