Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем /Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский

Исмайлов, Намик Джамиль оглы
Электронный ресурс
Другой Автор
Талипов, Нияз Хатимович
Войцеховский, Александр Васильевич
Источник
Аннотация
Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
02592nab a2200361 c 4500
001
 
 
vtls000623535
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20190526214200.0
007
 
 
cr |
008
 
 
190526|2017    ru      s         c rus d
035
$a to000623535
039
9
$a 201905262142 $b staff $c 201804041102 $d cat202 $c 201803300812 $d cat202 $c 201803291307 $d VLOAD $y 201803281323 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
100
1
$a Исмайлов, Намик Джамиль оглы
245
1
0
$a Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем $c Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский
504
$a Библиогр.: 12 назв.
506
$a Доступ в сети ТГУ
520
3
$a Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.
653
$a узкозонные полупроводники
653
$a фоторезисторы
653
$a приповерхностные слои
653
$a потенциальные барьеры
653
$a время релаксации
653
$a фоточувствительность
655
4
$a статьи в журналах
700
1
$a Талипов, Нияз Хатимович
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич
773
0
$t Известия высших учебных заведений. Физика $d 2017 $g Т. 60, № 12. С. 122-127 $x 0021-3411 $w 0026-80960
852
4
$a RU-ToGU
856
7
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623535
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0050*0070*0080*0350*0390*0400*1000*2450*5040*5200*6530*6531*6532*6533*6534*6535*6550*7000*7001*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в журналах
Резюме
Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.