Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ /И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др.

Электронный ресурс
Другой Автор
Ижнин, Игорь Иванович
Савицкий, Григорий Владимирович
Свентек, Збигнев
Войцеховский, Александр Васильевич
Коротаев, Александр Григорьевич
Мынбаев, Карим Джафарович
Варавин, Василий Семенович
Дворецкий, Сергей Алексеевич
Михайлов, Николай Николаевич физик
Якушев, Максим Витальевич
Бончик, Александр Юрьевич
Фицич, Елена Ивановна
Источник
Аннотация
Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
04603nab a2200469 c 4500
001
 
 
vtls000623454
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20190618131600.0
007
 
 
cr |
008
 
 
190526|2017    ru      s         c rus d
035
$a to000623454
039
9
$a 201906181316 $b cat34 $c 201905262142 $d staff $c 201803280913 $d cat202 $c 201803271516 $d VLOAD $y 201803271444 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
245
1
0
$a Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ $c И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др.
504
$a Библиогр.: 7 назв.
506
$a Доступ в сети ТГУ
520
3
$a Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.
653
$a молекулярно-лучевая эпитаксия
653
$a ионная имплантация
653
$a радиационные дефекты
653
$a активационный отжиг
653
$a дефектные структуры
653
$a фотодиоды
655
4
$a статьи в журналах
700
1
$a Ижнин, Игорь Иванович
700
1
$a Савицкий, Григорий Владимирович
700
1
$a Свентек, Збигнев
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич
700
1
$a Коротаев, Александр Григорьевич
700
1
$a Мынбаев, Карим Джафарович
700
1
$a Варавин, Василий Семенович
700
1
$a Дворецкий, Сергей Алексеевич
700
1
$a Михайлов, Николай Николаевич $c физик
700
1
$a Якушев, Максим Витальевич
700
1
$a Бончик, Александр Юрьевич
700
1
$a Фицич, Елена Ивановна
773
0
$t Известия высших учебных заведений. Физика $d 2017 $g Т. 60, № 10. С. 92-97 $x 0021-3411 $w 0026-80960
852
4
$a RU-ToGU
856
7
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623454
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0070*0080*0350*0400*2450*5040*5060*5200*6530*6531*6532*6533*6534*6535*6550*7000*70011*7001*7002*7003*7004*7005*7006*7007*7008*7009*70010*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в журналах
Резюме
Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.