Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10

Коханенко, Андрей Павлович
Публикация
Томск , 1999
Физическое описание
36 с.:
Всего оценка: 0
Место хранения Расст.шифр Части Штрих-код Класс экземпляра Примечание Код коллекции Статус  
Книгохранилище
1-868989к 53
13820000117396
Выдается в читальный зал
Доступно
 
 
 
01182nam a2200229   4500
001
 
 
vtls000056053
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20091028215500.0
008
 
 
091028s1999    ru     f mb   000 0 rus d
035
$a 0058-79860
039
9
$a 200910282155 $b staff $c 200601031300 $d VLOAD $y 200511060659 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU $e PSBO
100
1
$a Коханенко, Андрей Павлович.
245
1
0
$a Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона $b Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
260
$a Томск $c 1999
300
$a 36 с.
504
$a Библиогр.: с. 31-36
650
7
$a Физика полупроводников и диэлектриков $2 БВАК1995N4
653
$a авторефераты диссертаций.
852
4
$a RU-ToGU $h 1-868989к $i 53 $n ru
998
$a VTLSFF4004 000218    0004
999
$a VIRTUA               
Нет комментариев.
Предмет
Физика полупроводников и диэлектриков