Normal view
MARC view
Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
Material type: ArticleSubject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | варизонные слои | теллурид кадмия-ртути | арсенид галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 269-272Abstract: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22.No physical items for this record
Библиогр.: 10 назв.
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22.
There are no comments on this title.