Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Contributor(s): Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей НиколаевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | варизонные слои | теллурид кадмия-ртути | арсенид галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 269-272Abstract: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 10 назв.

В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share