Background donor concentration in HgCdTe /M. Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.]

Электронный ресурс
Другой Автор
Pociask-Bialy, Malgorzata
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Korotaev, A. G.
Fitsych, Olena I.
Dvoretsky, Sergei A.
Mikhailov, Nikolay N.
Yakushev, Maxim V.
Mynbaev, Karim D.
Izhnin, Igor I.
Источник
Opto-electronics review 2013 Vol. 23, № 3. P. 200-207
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
01959nab a2200385 c 4500
001
 
 
vtls000519835
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20161221084100.0
007
 
 
cr |
008
 
 
151219|2014    pl      s     000 a eng d
035
$a to000519835
039
9
$a 201612210841 $b cat202 $c 201512221032 $d cat202 $c 201512210914 $d cat202 $c 201512210901 $d cat202 $y 201512191524 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
245
1
0
$a Background donor concentration in HgCdTe $c M.  Pociask-Bialy, I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.]
653
$a теллурид кадмия ртути
653
$a ионное травление
655
4
$a статьи в сборниках
700
1
$a Pociask-Bialy, Malgorzata
700
1
$a Voytsekhovskiy, Alexander V.
700
1
$a Korotaev, A. G.
700
1
$a Fitsych, Olena I.
700
1
$a Dvoretsky, Sergei A.
700
1
$a Mikhailov, Nikolay N.
700
1
$a Yakushev, Maxim V.
700
1
$a Mynbaev, Karim D.
700
1
$a Izhnin, Igor I.
710
2
$a Томский государственный университет $b Радиофизический факультет $b Кафедра квантовой электроники и фотоники
710
2
$a Томский государственный университет $b Сибирский физико-технический институт $b Научные подразделения СФТИ
710
2
$a Томский государственный университет $b Научное управление $b Лаборатории НУ
773
0
$t Opto-electronics review $d 2013 $g Vol. 23, № 3. P. 200-207 $x 1230-3402
852
4
$a RU-ToGU
856
7
$u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519835
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0050*0070*0080*0350*0390*0400*2450*6530*6531*6550*7000*7008*7001*7002*7003*7004*7005*7006*7007*7100*7101*7102*7730*8520*8560*9080*9992
Нет комментариев.
Предмет
статьи в сборниках