Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 /Горн Дмитрий Игоревич ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т

Горн, Дмитрий Игоревич
Публикация
Томск : [б. и.] , 2012
Физическое описание
175 л.: ил.
Другой Автор
Войцеховский, Александр Васильевич
Всего оценка: 0
Место хранения Расст.шифр Части Штрих-код Класс экземпляра Примечание Код коллекции Статус  
Книгохранилище
2-000295
13820000822873
Выдается в читальный зал
Доступно
 
 
 
02665nam a2200445 i 4500
001
 
 
vtls000437818
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20170921132400.0
008
 
 
121120s2012    ru a   f bm   000 0 rus d
035
$a to000437818
039
9
$a 201709211324 $b cat31 $c 201211231520 $d cat31 $c 201211201807 $d cat02 $y 201211200930 $z acqs01
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
072
7
$a 01.04.10 $2 nsnr
080
$a 538.91-022.532:546.48'49'718(043.3)
080
$a 537.311.322-022.532:546.48'49'718: 535.338.3(043.3)
100
1
$a Горн, Дмитрий Игоревич
245
1
0
$a Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии $b диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 $c Горн Дмитрий Игоревич  ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т
260
$a Томск $b [б. и.] $c 2012
300
$a 175 л. $b ил.
504
$a Библиогр.: л. 160 - 175
650
7
$a физика полупроводников $2 nsnr
653
$a диссертации
653
$a наногетероструктуры полупроводников
653
$a фотолюминесценция гетероструктур
653
$a квантовые ямы
653
$a потенциальные ямы
653
$a молекулярно-лучевая эпитаксия
653
$a кадмий-руть-теллур
653
$a металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), структура
653
$a гетероэпитаксиальные структуры
653
$a наногетероэпитаксиальные структуры
653
$a сверхрешетки
653
$a программы физико-математического моделирования
653
$a зонные диаграммы, моделирование
653
$a спектры фотолюминесценции
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич $4 ths
710
2
$a Томский государственный университет.
852
4
$a RU-ToGU $n ru
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0080*0350*0400*0720*0800*0801*1000*2450*2600*3000*5040*6500*6530*6531*6532*6533*6534*6535*6536*6537*6538*6539*65310*65311*65312*65313*7000*7100*8520*9992
Нет комментариев.
Предмет
физика полупроводников