Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 /Дзядух Станислав Михайлович ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т, Сиб. физико-технический ин-т Том. гос. ун-та

Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация
Томск : [б. и.] , 2010
Физическое описание
241,[4] л.: ил.
Другой Автор
Войцеховский, Александр Васильевич.
Всего оценка: 0
Место хранения Расст.шифр Части Штрих-код Класс экземпляра Примечание Код коллекции Статус  
Книгохранилище
1-987179к
13820000746648
Выдается в читальный зал
Доступно
 
 
 
02818nam a2200445 i 4500
001
 
 
vtls000396141
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20101201150500.0
008
 
 
101124s2010    ru a   f bm   000 0 rus d
035
$a to000396141
039
9
$a 201012011505 $b cat31 $y 201011240848 $z acqs01
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
072
7
$a 01.04.10 $2 nsnr
080
$a 538.975:538.91:546.48/49'24(043.3)
080
$a 538.975:538.971:546.48/.49'24(043.3)
100
1
$a Дзядух, Станислав Михайлович
245
1
0
$a Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками $b диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 $c Дзядух Станислав Михайлович ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т, Сиб. физико-технический ин-т Том. гос. ун-та
260
$a Томск $b [б. и.] $c 2010
300
$a 241,[4] л. $b ил.
504
$a Библиогр.: л. 222 - 240
650
7
$a физика полупроводников $2 nsnr
653
$a диссертации
653
$a МДП-структуры
653
$a эпитаксия молекулярно-лучевая
653
$a МОП-структуры
653
$a гетероэпитаксиальные пленки HgCdTe
653
$a теллуриды кадмия
653
$a теллуриды ртути
653
$a варизонные структуры приповерхностные
653
$a границы раздела
653
$a диэлектрические покрытия пассивирующие
653
$a подложки арсенидгаллиевые
653
$a электрофизические характеристики HgCdTe
653
$a фотоэлектрические характеристики HgCdTe
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич. $4 ths
710
2
$a Томский государственный университет.
710
2
$a Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
852
4
$a RU-ToGU $n ru
999
$a VIRTUA  
999
$a VTLSSORT0010*0030*0050*0080*0350*0390*0400*0720*0800*0801*1000*2450*2600*3000*5040*6500*6530*6531*6532*6533*6534*6535*6536*6537*6538*6539*65310*65311*65312*7000*7100*7101*8520*9991
Нет комментариев.
Предмет
физика полупроводников