Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Дзядух Станислав Михайлович ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т, Сиб. физико-технический ин-т Том. гос. ун-та

By: Дзядух, Станислав МихайловичContributor(s): Войцеховский, Александр Васильевич [ths] | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)Material type: TextTextPublication details: Томск [б. и.] 2010Description: 241,[4] л. илSubject(s): физика полупроводников | диссертации | МДП-структуры | эпитаксия молекулярно-лучевая | МОП-структуры | гетероэпитаксиальные пленки HgCdTe | теллуриды кадмия | теллуриды ртути | варизонные структуры приповерхностные | границы раздела | диэлектрические покрытия пассивирующие | подложки арсенидгаллиевые | электрофизические характеристики HgCdTe | фотоэлектрические характеристики HgCdTe
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Item type Current library Call number Status Date due Barcode
Выдается в читальный зал Книгохранилище 1-987179к (Browse shelf (Opens below)) Available 13820000746648

Библиогр.: л. 222 - 240

There are no comments on this title.

to post a comment.