Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe /В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. П. Казак, О. Г. Ланская

Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
01589naa a2200301   4500
001
 
 
vtls000323200
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20110109212100.0
008
 
 
110109s1980    ru     f      100 0drus d
035
$a to000323200
039
9
$a 201101092121 $b staff $c 200907310939 $d cat202 $c 200904161026 $d cat202 $y 200808300914 $z staff
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
080
$a 53
245
1
0
$a Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe $c В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. П. Казак, О. Г. Ланская
504
$a Библиогр.: 5 назв.
653
$a полупроводники.
653
$a физика полупроводников.
653
$a исследования.
653
$a узкозонные полупроводники.
700
1
$a Ланская, О. Г.
700
1
$a Антонов, В. В.
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич.
700
1
$a Казак, Е. П.
773
0
$t Энергетика, электроника, связь : материалы третьей региональной научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты - народному хозяйству" $d Томск, 1980 $g С. 87-90 $w to000369027
852
4
$a Ru-ToGU $n ru
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0080*0350*0390*0400*0800*2450*5040*6530*6531*6532*6533*7000*7001*7002*7003*7730*8520*9991
Нет комментариев.