Normal view
MARC view
Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg1-x Cdx Te при ионной имплантации диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Шастов Константин Владимирович ; науч. рук.: Войцеховский А. В., Лиленко Ю. В. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1988Description: 187 л. илSubject(s): Физика полупроводников и диэлектриков | диссертации | теллурид кадмия-ртуть, кристаллы | ионная имплантация | дефектообразование в кристаллах | дефектообразование в кристаллах радиационное | ионы водорода, имплантация | фотодиоды имплантированные ионами | ионы аргона, имплантация | дефектообразование кристаллов при имплантации | ИК-фотодиоды | электронное торможение ионов | модель миграции радиационных дефектовItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-698274к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000719590 |
Библиогр.: л. 176 - 186
There are no comments on this title.