Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография] Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]
Material type:
TextPublication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018Description: 362 с. ил., таблISBN: 9785946217576Subject(s): Шоттки барьер | арсенида галлия структуры | межфазные взаимодействия | контактные структуры | тугоплавкие металлы | покрытия многослойные | металлизация | контакты выпрямляющие | бориды | диодные структуры | диоды с барьером Шоттки | электрические характеристики | вольтамперные характеристики | дефектообразование | электронное облучение | токи избыточные | тензоэлектрические явления | тензочувствительность диодов | датчики неэлектрических величин | электронные устройства | датчики с барьером Шоттки, использованиеOnline resources: Click here to access online Abstract: В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и стабильности электрических характеристик диодов, выяснения механизмов деградации электрических параметров. Интерес к этим исследованиям не ослабевает до настоящего времени, о чем свидетельствует большое число публикаций. Однако большинство экспериментальных и теоретических работ ведется в узком секторе физических явлений. Отсутствие комплексных исследований не позволяет воспринимать картину происходящих физических процессов в структурах с барьером Шоттки в целом, особенно при различных внешних воздействиях. В работе на основе полученных оригинальных результатов определены пути повышения стабильности электрических характеристик структур, а также установлена возможность их использования в качестве чувствительных элементов датчиков различных неэлектрических величин (температуры, давления).
Для широкого круга специалистов – научных сотрудников и инженеров, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики полупроводниковых структур.
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается по месту хранения | Читальный зал 5 | 621.3 Ф552 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000996687 | |
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-050546 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000996688 | |
| 1 месяц | Книгохранилище | 2-050547 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000996689 |
Библиогр.: с. 318-343
В монографии на основе оригинальных представлений последовательно и всесторонне обсуждены различные аспекты природы электрофизических явлений структур с барьером Шоттки на GaAs. Внедрение в промышленность структур с барьером Шоттки потребовало решения вопросов, связанных с повышением надежности и стабильности электрических характеристик диодов, выяснения механизмов деградации электрических параметров. Интерес к этим исследованиям не ослабевает до настоящего времени, о чем свидетельствует большое число публикаций. Однако большинство экспериментальных и теоретических работ ведется в узком секторе физических явлений. Отсутствие комплексных исследований не позволяет воспринимать картину происходящих физических процессов в структурах с барьером Шоттки в целом, особенно при различных внешних воздействиях. В работе на основе полученных оригинальных результатов определены пути повышения стабильности электрических характеристик структур, а также установлена возможность их использования в качестве чувствительных элементов датчиков различных неэлектрических величин (температуры, давления).
Для широкого круга специалистов – научных сотрудников и инженеров, а также преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики полупроводниковых структур.
There are no comments on this title.