Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др.
Material type: ArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | ионная имплантация | радиационные дефекты | активационный отжиг | дефектные структуры | фотодиодыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 10. С. 92-97Abstract: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.Библиогр.: 7 назв.
Доступ в сети ТГУ
Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.
There are no comments on this title.