Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др.

Contributor(s): Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Свентек, Збигнев | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Фицич, Елена ИвановнаMaterial type: ArticleArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | ионная имплантация | радиационные дефекты | активационный отжиг | дефектные структуры | фотодиодыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 10. С. 92-97Abstract: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 7 назв.

Доступ в сети ТГУ

Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования проводились с использованием масс-спектроскопии вторичных ионов, просвечивающей электронной микроскопии, изучения оптического отражения в видимой области спектра и путем измерений электрофизических параметров. Радиационные донорные дефекты изучены в полученных имплантацией n+-p - и n+-n -структурах, сформированных соответственно на базе материала р -типа и n -типа без активационного отжига. Показано, что в слое распределения имплантированных ионов формируется область крупных протяженных дефектов с малой плотностью (в приповерхностной области), за которой следует область более мелких протяженных дефектов с большей плотностью. Выявлен различный характер накопления электрически активных донорных дефектов в пленках с защитным варизонным поверхностным слоем и без него. Продемонстрировано формирование p+-n -структур на базе материала n -типа при активации мышьяка в процессе постимплантационного термического отжига со 100 %-й активацией примеси и полной аннигиляцией радиационных донорных дефектов.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share