Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции И. А. Прудаев, И. С. Романов, В. В. Копьев и др.

Contributor(s): Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИMaterial type: ArticleArticleSubject(s): светодиоды | гетероструктуры | квантовые ямы | люминесценция | квантовый выходGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 7. С. 30-32
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share