Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский

By: Исмайлов, Намик Джамиль оглыContributor(s): Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр ВасильевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): узкозонные полупроводники | фоторезисторы | приповерхностные слои | потенциальные барьеры | время релаксации | фоточувствительностьGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 122-127Abstract: Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 12 назв.

Доступ в сети ТГУ

Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share