Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем Н. Д. Исмайлов, Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский
Material type: ArticleSubject(s): узкозонные полупроводники | фоторезисторы | приповерхностные слои | потенциальные барьеры | время релаксации | фоточувствительностьGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 122-127Abstract: Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.Библиогр.: 12 назв.
Доступ в сети ТГУ
Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа проводимости, полученным обработкой в плазме атмосферного газа. Показано, что наличие потенциального барьера между р - и n -областями обуславливает высокую фоточувствительность и быстродействие таких фоторезисторов при Т = 77 К.
There are no comments on this title.