Normal view
MARC view
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Копьев Виктор Васильевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Том. гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2019Description: 126 л. ил., таблSubject(s): физика полупроводников | диссертации | светодиоды | сверхрешетки | квантовые ямы | квантовый выход | транспорт носителей заряда | гетероструктуры светодиодные | наногетероструктуры | эпитаксия газофазная | квантовые ямы множественные | квантовые точки | резонансное туннелирование электронов | InGaN/GaN, светодиодные структуры | физико-математические модели | плотность тока | низкие температуры | электрические поля сильные встроенные | индий-галлий-азот, светодиодная структура | галлий-азот, светодиодная структураGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-034971 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000994246 |
Библиогр.: л. 109-126
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.