Normal view
MARC view
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
Material type:
ArticleSubject(s): МДП-структуры | варизонные слои | молекулярно-лучевая эпитаксия | теллурид кадмия-ртутиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 257-261Abstract: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне частот те-стового сигнала 10 кГц - 1 МГц при температурах от 8 до 225 К. Определены основные параметры МДП-структур с различными диэлектриками.
No physical items for this record
Библиогр.: 10 назв.
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне частот те-стового сигнала 10 кГц - 1 МГц при температурах от 8 до 225 К. Определены основные параметры МДП-структур с различными диэлектриками.
There are no comments on this title.