Normal view
MARC view
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
Material type: ArticleSubject(s): МДП-структуры | теллурид кадмия-ртути | молекулярно-лучевая эпитаксия | варизонные слоиGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов С. 138No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.