Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Contributor(s): Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУMaterial type: ArticleArticleSubject(s): МДП-структуры | теллурид кадмия-ртути | молекулярно-лучевая эпитаксия | варизонные слоиGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов С. 138
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 3 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share