Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

Contributor(s): Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИMaterial type: ArticleArticleSubject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | теллурид кадмия-ртути | проводимость | варизонные слои | пространственные зарядыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 6. С. 3-11
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 23 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share