Normal view
MARC view
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Горн Дмитрий Игоревич ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2012Description: 175 л. илSubject(s): физика полупроводников | диссертации | наногетероструктуры полупроводников | фотолюминесценция гетероструктур | квантовые ямы | потенциальные ямы | молекулярно-лучевая эпитаксия | кадмий-руть-теллур | металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), структура | гетероэпитаксиальные структуры | наногетероэпитаксиальные структуры | сверхрешетки | программы физико-математического моделирования | зонные диаграммы, моделирование | спектры фотолюминесценции
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-000295 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000822873 |
Библиогр.: л. 160 - 175
There are no comments on this title.