Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский
Material type:
ArticleSubject(s): квантовые точки | кремний | германий | олово | наногетероструктуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | критическая толщинаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 20-27Abstract: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и Si(111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.
Библиогр.: 38 назв.
Доступ в сети ТГУ
Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и Si(111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.
There are no comments on this title.