Normal view
MARC view
Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh
Material type: ArticleSubject(s): металл-диэлектрик-полупроводник, структура | кадмиевый теллурид ртути | молекулярно-лучевая эпитаксия | фотоэлектрические характеристики HgCdTeGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Thin solid films Vol. 551. P. 92-97No physical items for this record
Библиогр.: 37 назв.
There are no comments on this title.