Параметры легированных сверхрешеток : Методические указания /Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томский гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники

Публикация
Томск , 1998
Физическое описание
22 с.: ил.
Другой Автор
Войцеховский, Александр Васильевич. сост.
Шульга, Сергей Анатольевич сост.
Всего оценка: 0
Место хранения Расст.шифр Части Штрих-код Класс экземпляра Примечание Код коллекции Статус  
Отдел рукописей и книжных памятников
1-866175к 537
13820000071031
Выдается в читальный зал
Доступно
 
 
 
01416nam a2200325   4500
001
 
 
vtls000045811
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20051106031700.0
008
 
 
990616s1998    ru a   | b    000 | rus d
035
$a 0048-35460
039
9
$y 200511060317 $z VLOAD
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU $e PSBO
080
$a 537.86 (075.8)
245
1
0
$a Параметры легированных сверхрешеток $b Методические указания $c Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томский гос. ун-т, Каф. квантовой электроники и фотоники
260
$a Томск $c 1998
300
$a 22 с. $b ил.
504
$a Библиогр.: с. 22
653
$a учебные издания для вузов.
653
$a сверхрешетки.
653
$a полупроводники.
653
$a электронные свойства.
653
$a ионизация.
653
$a легированные слои.
653
$a радиофизика.
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич. $e сост. $4 com
700
1
$a Шульга, Сергей Анатольевич $e сост. $4 com
710
2
$a Томский государственный университет.
852
4
$a RU-ToGU $h 1-866175к $i 537 $n ru
908
$a учебник
998
2
$a VTLSFF40061991104    0006
Нет комментариев.