Normal view
MARC view
Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко
Material type: ArticleSubject(s): полупроводники | физика полупроводников | арсенид галлия | примеси | ток увлечения In: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов С. 103-104No physical items for this record
There are no comments on this title.