Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями /В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко

Антонов, В. В.
Всего оценка: 0
Нет записей для отображения.
 
 
 
01428naa a2200289   4500
001
 
 
vtls000323012
003
 
 
RU-ToGU
005
 
 
20110109200700.0
008
 
 
110109s1978    ru     f      100 0drus d
035
$a to000323012
039
9
$a 201101092007 $b staff $c 200907301532 $d cat202 $y 200808300912 $z staff
040
$a RU-ToGU $b rus $c RU-ToGU
080
$a 53
100
1
$a Антонов, В. В.
245
1
0
$a Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями $c В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко
653
$a полупроводники.
653
$a физика полупроводников.
653
$a арсенид галлия.
653
$a примеси.
653
$a ток увлечения.
700
1
$a Войцеховский, Александр Васильевич.
700
1
$a Коханенко, Андрей Павлович.
773
0
$t Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов $d Томск, 1978 $g С. 103-104 $w to000369014
852
4
$a Ru-ToGU $n ru
908
$a статья
999
$a VIRTUA
999
$a VTLSSORT0010*0030*0080*0350*0390*0400*0800*1000*2450*6530*6531*6532*6533*6534*7000*7001*7730*8520*9991
Нет комментариев.