Normal view
MARC view
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов
Material type: ArticleSubject(s): МДП-структуры | теллурид кадмия-ртути | варизонные слои | молекулярно-лучевая эпитаксияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/3. С. 69-70No physical items for this record
Библиогр.: 12 назв.
There are no comments on this title.