Normal view
MARC view
Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения А. В. Войцеховский, Д. И. Горн
Material type: ArticleSubject(s): квантовые ямы | полупроводники | светодиоды | нитрид галлияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/2. С. 271-273No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.